主要用途
主要用于镀制电导膜、光学膜、保护膜、超硬膜、装饰膜等；适合于塑料、陶瓷、玻璃等基体的镀膜

主要组成
设备由镀膜室、真空机组、充气装置、磁控溅射源、夹具、烘烤装置、电控及其它辅助装置组成。

主要特点
★工艺要求较灵活，在溅射镀膜时改变反应气体与工作气体的匹配，再附加其它工艺性要求即可获得不同金属膜，金属化合物膜、半导体膜等。
★具有温度可调的加热器控制装置，工艺适应性强。
★设备具有靶材利用率高，溅射温度低、溅射速率高、寿命长等特点
★对于不同基片配置不同结构的夹具，通用性、灵活性强。
★具有过流、过压、断水、欠压保护及电气互锁功能。
★某些规格型号磁控反应溅射设备配有PLC（可编程控制器）、操作自动程度高，可靠性好。

磁控反应溅射设备主要参数

	镀膜室尺寸 (长×宽×高) (mm)	极限真 空度 (Pa)	恢复真空时间(min)	磁控源电源功率 及个数(KVA)	负偏压电源(Kw)	烘烤温度(℃)	靶功率 (Kw)	总重量(T)
JTF-14	Ф1450×1520	≤5×10-3	2×10-2Pa ≤15	同轴2只; 30/2	20	300	120	5.5
JP-14B	Ф1450×1780	≤5×10-3	2×10-2Pa ≤15	同轴1只; 30Kw矩形2只; 30/3	20	300	150	6.0
JTB-18	7000×600 ×1900	≤5×10-3	2×10-2Pa ≤20	同轴1只; 30Kw矩形6只; 40/6	/	300	300	8.5
JTF-12C	Ф1250×1800	≤5×10-4	2×10-2Pa ≤20	同轴1只; 30/1	20	350	60	5.2
JTF-1000S （双室）	Ф1050×1000	≤5×10-3	7×10-3Pa ≤20	同轴2只; 20/2	20	400	70	4.0
JTF-1000	Ф1050×1000	≤5×10-4	7×10-3Pa ≤20	同轴1只; 20/1	/	400	65	2.5
JZH-900	900×1000 ×1000	≤5×10-3	2×10-2Pa ≤20	同轴1只; 20/1	/	400	55	2.5
KS-1000D （双室）	Ф1050×1000	≤5×10-18	7×10-3Pa ≤20	同轴2只; 20/2	20	450	65	4.0